新华社武汉９月２８日电（记者陈俊、李思远）总投资２４０亿美元的国家存储器基地项目（一期）的一号生产及动力厂房２８日实现提前封顶，预计２０１８年投入使用。全面建成后，该项目年产值将超过１００亿美元。

国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，一期工程于２０１６年１２月３０日正式开工建设，规划３座全球单座洁净面积最大的厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过３万美元。

国家存储器基地项目是新中国成立以来湖北省单体投资最大的高科技产业项目，项目一期达产后，预计可实现月产能３０万片１２寸晶圆，年产值将超过１００亿美元，到２０３０年月产能提升至１００万片。

据介绍，存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是中国进口金额最大的集成电路产品。国家存储器项目落户武汉，填补了此前国内集成电路产业的一块空白。

目前，武汉东湖高新区已为国家存储器基地项目规划建设１１００亩配套产业园区和１５００亩国际社区用地，正在加快引进产业链顶级配套企业和国际化人才。同时加快建设武汉国际微电子学院，组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家ＩＰ交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。（完）